| 大功率4H-SiC GTO晶闸管研究 |
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| 引用本文： | 雷海峰,金锐,温家良,刘明光.大功率4H-SiC GTO晶闸管研究[J].电力电子技术,2011,45(12). |
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| 作者姓名： | 雷海峰 金锐 温家良 刘明光 |
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| 作者单位： | 1. 北京交通大学,北京,100044
2. 中国电力科学研究院,北京,100192 |
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| 摘 要： | 此处主要从SiC-GTO晶闸管设计的3个因素进行了研究,包括:击穿电压设计、两个等效晶体管共基极电流放大系数设计以及少子寿命取值设计.通过ATLAS器件仿真得到器件的击穿特性、内部电场分布及正向I-V曲线.最后通过Silvaco-TCAD提供的MixedMode混合仿真组件,对设计的SiC-GTO进行了开关特性模拟,并与5SGS 16H4500对称型Si -GTO进行了比较,结果表明,所设计的大容量SiC-GTO也比当前Si-GTO具有更高的开关速度.
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| 关 键 词： | 晶闸管 击穿电压 少子寿命 开关特性 |
Research on High Power 4H-SiC GTO Thyristor |
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| LEI Hai-feng,JIN Rui,WEN Jia-liang,LIU Ming-guang.Research on High Power 4H-SiC GTO Thyristor[J].Power Electronics,2011,45(12). |
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| Authors: | LEI Hai-feng JIN Rui WEN Jia-liang LIU Ming-guang |
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