| 低寄生电感SiC MOSFETs模块的设计与制作 |
| |
| 引用本文： | 王异凡,张斌,郭清,龚金龙.低寄生电感SiC MOSFETs模块的设计与制作[J].电力电子技术,2021,55(8):141-144. |
| |
| 作者姓名： | 王异凡 张斌 郭清 龚金龙 |
| |
| 作者单位： | 国网浙江省电力有限公司,电力科学研究院,浙江杭州 310024;浙江大学,绍兴微电子研究中心,浙江绍兴 312035 |
| |
| 摘 要： | 为获得两芯片碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)并联半桥模块的优化设计方案,采用Ansoft Q3D Extractor软件对不同互联拓扑结构的模块寄生电感进行研究,并通过ANSYS软件对不同互联拓扑结构的热传递过程进行了仿真.通过改变并联半桥模块内部换流回路中各元件的布局方式,减小模块内部换流通路的长度以及面积,从而实现减小寄生电感的目的,同时,也对不同方案的热学特性进行了比较分析.综合考虑寄生电感和散热性能两方面的因素,最终确定最优的模块设计方案;根据优化方案,针对电动汽车应用制作了6芯片并联半桥模块,并搭建Boost电路对模块进00行了测试.
|
| 关 键 词： | 金属氧化物半导体场效应晶体管 半桥 寄生电感 |
Design and Manufacture of Low Parasitic Inductance SiC MOSFETs Modules |
| |
| WANG Yi-fan,ZHANG Bin,GUO Qing,GONG Jin-long.Design and Manufacture of Low Parasitic Inductance SiC MOSFETs Modules[J].Power Electronics,2021,55(8):141-144. |
| |
| Authors: | WANG Yi-fan ZHANG Bin GUO Qing GONG Jin-long |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
