| IGBT模块窄脉冲解决方案 |
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| 引用本文： | 陶灿辉,吴文婷,徐萌萌,丁力.IGBT模块窄脉冲解决方案[J].电力电子技术,2015,49(2):47-48. |
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| 作者姓名： | 陶灿辉 吴文婷 徐萌萌 丁力 |
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| 作者单位： | 中国船舶科学研究中心,江苏无锡,214000 |
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| 摘 要： | 绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块在运行过程中,若出现窄脉冲,会对IGBT造成较大影响,甚至损坏。主要是因为内部IGBT或体二极管单元在未完全开通情况下又重新关断,这一过程产生的di/dt要比正常完全开通再关断的情况大很多,从而对于IGBT单元会产生很大的关断电压尖峰,而对于体二极管单元而言,会产生很大的du/dt和振荡。在此以模块FF1000R17IP4为例,分析了出现窄脉冲的原因,然后给出了限制窄脉冲的方法。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极晶体管 窄脉冲 脉宽调制 |
The Solution of IGBT Narrow-pulse |
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| TAO Can-hui,WU Wen-ting,XU Meng-meng,DING Li.The Solution of IGBT Narrow-pulse[J].Power Electronics,2015,49(2):47-48. |
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| Authors: | TAO Can-hui WU Wen-ting XU Meng-meng DING Li |
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| Affiliation: | TAO Can-hui;WU Wen-ting;XU Meng-meng;DING Li;China Ship Scientific Research Center; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | insulated gate bipolar transistor narrow-pulse pulse width modulation |
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