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IGBT驱动及短路保护电路研究
引用本文:李振民,刘事明,张锐.IGBT驱动及短路保护电路研究[J].电测与仪表,2002,39(6):48-50.
作者姓名:李振民  刘事明  张锐
作者单位:中国科学院电子学研究所,北京,100080
摘    要:首先讨论了对IGBT的保护以及对其驱动电路的基本要求,然后基于IGBT集电极退饱和原理,作提供了一个具有完善短路保护功能的IGBT驱动电路。分析及试验结果表明,该电路简单、实用、可靠性高。

关 键 词:IGBT  驱动电路  短路保护电路
文章编号:1001-1390(2002)06-0048-03
修稿时间:2002年3月27日

The research of IGBT driving and short-circuit protection circuit
Li Zhenmin,Liu Shiming,Zhang Rui.The research of IGBT driving and short-circuit protection circuit[J].Electrical Measurement & Instrumentation,2002,39(6):48-50.
Authors:Li Zhenmin  Liu Shiming  Zhang Rui
Abstract:The methods of protection of IGBT and the basic requirements for driving circuit are described. A new circuit of IGBT driving and short-circuit protection with perfect performance is developed. It base on the principle of collector-emitter voltage desaturation. Analysis and experiment results show that the new circuit is simple, reli-able, and of great application value.
Keywords:IGBT  driving circuit  short-circuit protection
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