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| 集成电路不同脉冲注入的损伤效应相关性 | |
| 引用本文： | 刘进,陈永光,谭志良,陈京平.集成电路不同脉冲注入的损伤效应相关性[J].高电压技术,2011,37(7):1740-1745. |
| 作者姓名： | 刘进 陈永光 谭志良 陈京平 |
| 作者单位： | 军械工程学院静电与电磁防护研究所,石家庄,050003 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国防科技重点实验室基金 |
| 摘 要： | 为了分析复杂波形脉冲注入对集成电路的损伤特点，找出不同波形参数的脉冲注入损伤效应相关性，用方波脉冲和不同模型的静电放电（ESD）对5种具有典型代表意义的集成电路器件进行注入损伤效应实验，并给出了器件的损伤电压、损伤功率、损伤能量等值。采用曲线拟合的分析法，基于实验数据建立起脉冲特性参数与器件损伤参数间的数学关系，其函数... |
| 关 键 词： | 集成电路 静电放电(ESD)脉冲 方波脉冲 损伤效应 曲线拟合 相关性 |
Correlation of the Damage Effects of Integrated Circuits Injected by Different Impulses |
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| Abstract: | |
| Keywords: | integrated circuit electrostatic discharge（ESD） pulse rectangular pulse damage effects curve fitting correlation |
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