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集成电路不同脉冲注入的损伤效应相关性
引用本文:
刘进,陈永光,谭志良,陈京平. 集成电路不同脉冲注入的损伤效应相关性[J]. 高电压技术, 2011, 37(7): 1740-1745
作者姓名:
刘进
陈永光
谭志良
陈京平
作者单位:
军械工程学院静电与电磁防护研究所,石家庄,050003
基金项目:
国家自然科学基金,国防科技重点实验室基金
摘 要:
为了分析复杂波形脉冲注入对集成电路的损伤特点,找出不同波形参数的脉冲注入损伤效应相关性,用方波脉冲和不同模型的静电放电(ESD)对5种具有典型代表意义的集成电路器件进行注入损伤效应实验,并给出了器件的损伤电压、损伤功率、损伤能量等值。采用曲线拟合的分析法,基于实验数据建立起脉冲特性参数与器件损伤参数间的数学关系,其函数...
关 键 词:
集成电路
静电放电(ESD)脉冲
方波脉冲
损伤效应
曲线拟合
相关性
Correlation of the Damage Effects of Integrated Circuits Injected by Different Impulses
Abstract:
Keywords:
integrated circuit
electrostatic discharge(ESD) pulse
rectangular pulse
damage effects
curve fitting
correlation
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