| 一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计 |
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| 引用本文： | 李淼,冯全源.一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计[J].微计算机信息,2007,23(11):294-295. |
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| 作者姓名： | 李淼 冯全源 |
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| 作者单位： | 610031,四川省,西南交通大学微电子研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;四川省学术与技术带头人培养基金 |
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| 摘 要： | 在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下,仿真结果显示当温度为-40℃～80℃,输出基准电压变化小于1.5mV,低频电源抑制比达到75dB以上。
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| 关 键 词： | 带隙电压基准源 电源抑制比 温度补偿 共源共栅电流镜 |
| 文章编号： | 1008-0570(2007)04-2-0294-02 |
| 修稿时间： | 2007年2月23日 |
Design of a High Precision BiCOMS Bandgap Voltage Reference |
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| LI MIAO,FENG QUANYUAN.Design of a High Precision BiCOMS Bandgap Voltage Reference[J].Control & Automation,2007,23(11):294-295. |
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| Authors: | LI MIAO FENG QUANYUAN |
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| Affiliation: | LI MIAO FENG QUANYUAN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bangap voltage reference power supply rejection ratio temperature compensation cascade current mirror |
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