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多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计
引用本文:颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云.多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计[J].计算机工程与应用,2014(19):42-46.
作者姓名:颜永红  谌昊  樊晓华  刘昱  曾云
作者单位:1. 湖南大学 物理与微电子科学学院,长沙,410082
2. 湖南大学 物理与微电子科学学院,长沙 410082; 中国科学院 微电子研究所 射频集成电路研究室,北京 100029
3. 中国科学院 微电子研究所 射频集成电路研究室,北京,100029
基金项目:湖南省自然科学基金重点项目(No.11JJ2034)。
摘    要:开关类功率放大器相对于传统的线性功率放大器有更高的效率,其中E类开关功率放大器由于其高效、易于实现等特点被广泛运用,但在低频率时E类功率放大器难以达到足够的输出功率和效率。设计实现的多频段开关功率放大器在高频段(433 MHz)采用E类匹配方式,在较低的频段(315 MHz、230 MHz)采用新颖的方波匹配。在Cadence软件平台下进行仿真及版图绘制,结果显示该多频段开关功率放大器各频段都实现了20 dBm的输出功率,漏极效率均达到40%,同时,通过控制晶体管尺寸,可以对输出功率进行数字控制。

关 键 词:多频段  功率可控  金属氧化为半导体  开关类  功率放大器

Design of multi-band CMOS switching power amplifier with power control
YAN Yonghong,CHEN Hao,FAN Xiaohua,LIU Yu,ZENG Yun.Design of multi-band CMOS switching power amplifier with power control[J].Computer Engineering and Applications,2014(19):42-46.
Authors:YAN Yonghong  CHEN Hao  FAN Xiaohua  LIU Yu  ZENG Yun
Abstract:
Keywords:multi-band  power control  CMOS  switched  power amplifier
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