多孔硅的Ⅰ-Ⅴ特性及NO2气敏特性研究

采用双槽电化学腐蚀法在p＋单晶硅表面制备多孔硅层，然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极，制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌，研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向Ⅰ-Ⅴ特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明，多孔硅的横向Ⅰ-Ⅴ特性表现出非整流的欧姆接触；多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90mA／cm^2，腐蚀时间为30min时．所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10^-9的NO2的灵敏度可达到5．25，响应时间与恢复时间约分别为14min与10min。