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多孔硅的Ⅰ-Ⅴ特性及NO2气敏特性研究
作者姓名:孙凤云  胡明  孙鹏  陈鹏  刘博
作者单位:天津大学电子信息工程学院,天津300072
摘    要:采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向Ⅰ-Ⅴ特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向Ⅰ-Ⅴ特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90mA/cm^2,腐蚀时间为30min时.所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10^-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14min与10min。

关 键 词:多孔硅  孔隙率  Ⅰ-Ⅴ特性  NO2气敏特性
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