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| P+N+器件压磁电效应的研究 | |
| 引用本文： | 温殿忠,邱成军,庄玉光.P+N+器件压磁电效应的研究[J].传感技术学报,1996,9(2):10-15. |
| 作者姓名： | 温殿忠 邱成军 庄玉光 |
| 作者单位： | 黑龙江大学信息电子科学系!哈尔滨150080 |
| 摘 要： | 用载流子连续方程研究了一个侧面设置坑复合区的双注入Ｐ＾＋πＮ＾＋器件的压磁电效应，给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系，结果表明，当四个Ｐ＾＋πＮ＾＋器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥，制造在Ｃ型硅杯的硅膜片上，不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度，而且可以用来测量磁场的旋转角度。 |
| 关 键 词： | P^＋πN^＋器件 压磁电效应 敏感器件 |
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