| MEMS应用中的的TiN薄膜工艺研究 |
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| 引用本文： | 杨梅,舒琼,陈兢.MEMS应用中的的TiN薄膜工艺研究[J].传感技术学报,2006,19(5):1448-1450,1454. |
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| 作者姓名： | 杨梅 舒琼 陈兢 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学微电子学研究院,北京,100871;中国科学院传感技术联合国家重点实验室,上海,200050
2. 北京大学微电子学研究院,北京,100871 |
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| 摘 要： | 运用反应射频溅射的方法进行了TiN薄膜的制备,通过改变关键工艺参数,如氩气氮气比、气体压力等,研究工艺参数对TiN薄膜特性的影响.论文还研究了不同退火工艺条件对薄膜应力的影响,可以实现薄膜低温退火.论文还对TiN的刻蚀和抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法对TiN的刻蚀情况,得出常温下TiN具有良好的抗腐蚀特性,并得到干法和湿法刻蚀速率.为TiN材料的MEMS应用打下了基础.
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| 关 键 词： | TiN 溅射 应力 退火 |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-1448-03 |
| 修稿时间： | 2006年7月1日 |
TiN Membrane for MEMS Applications |
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| Mei Yang,Qiong Shu,Jing Chen.TiN Membrane for MEMS Applications[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):1448-1450,1454. |
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| Authors: | Mei Yang Qiong Shu Jing Chen |
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| Affiliation: | 1. College of Microelect ronics , Bei j ing Uni versit y , Bei j ing 100871 , China;
2. State Key L aboratory of Trans ducer Technology , Chinese Academy of Scieuces , S hanghai 200050 , China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TiN |
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