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非对称基区梳状温度补偿晶体管设计原理
引用本文:温殿忠.非对称基区梳状温度补偿晶体管设计原理[J].传感技术学报,1990,3(3).
作者姓名:温殿忠
作者单位:黑龙江大学
摘    要:本文提出了一种非对称基区梳状温度补偿晶体管的设计原理,并给出了这种晶体管基极电阻比η的计算公式.理论分析与实验结果表明,采用本文给出的公式确定基极电阻比η,所设计的非对称基区梳状晶体管,对半导体敏感元器件灵敏度温漂进行补偿时有最佳的补偿效果.

关 键 词:梳状晶体管  非对称基区  基极电阻  温度补偿

A Design principle of Pectinate Asymmetrical Base Transistor for Temperature Compensation
Wen Dianzhong.A Design principle of Pectinate Asymmetrical Base Transistor for Temperature Compensation[J].Journal of Transduction Technology,1990,3(3).
Authors:Wen Dianzhong
Affiliation:Heilongjiang University
Abstract:
Keywords:pectinate transistor asymmetrical base base resistance temperature compensation  
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