| 射频反应溅射制备AlN薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 李侃,董树荣,王德苗.射频反应溅射制备AlN薄膜的研究[J].传感技术学报,2006,19(5):1459-1461,1465. |
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| 作者姓名： | 李侃 董树荣 王德苗 |
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| 作者单位： | 浙江大学信电系,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率密度的情况下沉积速率达到2.3μm/h,远高于有关研究报道数据,获得的AlN薄膜(002)面X-射线衍射峰半高宽仅为0.3°,显示出薄膜具有良好的择优取向.
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| 关 键 词： | AlN 压电薄膜 射频反应磁控溅射 择优取向 FBAR |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-1459-03 |
| 修稿时间： | 2006年7月1日 |
Study of preparation of AlN thin films for FBAR application by RF Sputtering |
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| Li Kan,Dong Shu-rong,Wang De-miao.Study of preparation of AlN thin films for FBAR application by RF Sputtering[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):1459-1461,1465. |
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| Authors: | Li Kan Dong Shu-rong Wang De-miao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN FBAR |
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