| 基于高压应力的氮化铝MEMS压电微扬声器 |
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| 引用本文： | 于媛媛,王浩然,谢会开,张代化.基于高压应力的氮化铝MEMS压电微扬声器[J].传感技术学报,2018,31(8):1141-1146,1175. |
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| 作者姓名： | 于媛媛 王浩然 谢会开 张代化 |
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| 作者单位： | 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072
佛罗里达大学电气与计算机工程系,美国32611 |
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| 摘 要： | 基于微电子和微机械加工工艺制备了一类氮化铝AlN(Aluminum Nitride)压电微扬声器.研究了器件薄膜残余应力对器件性能的影响,采用带有高残余压应力的高c-轴取向氮化铝薄膜分别作为器件压电层和支撑层增大微扬声器的输出声压,同时利用工艺手段控制整体薄膜残余应力进一步增大器件输出声压.该微扬声器的悬膜直径仅为1.35 mm,厚度为0.95μm.在开放空间内,采用声压级检测仪对该微扬声器的输出声压级SPL(Sound Pressure Level)进行扫频测试(频率范围:0.5 kHz～20 kHz).测得单个微扬声器在距离为10 mm处,20 Vpp驱动电压下最大输出声压级约为75 dB.测试结果显示该氮化铝压电微扬声器在耳机、智能手机和可穿戴设备等方面都具有潜在的应用前景.
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| 关 键 词： | 压电微扬声器 氮化铝薄膜 残余应力 输出声压级 |
AlN MEMS Microspeakers with High Compressive Stress |
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| YU Yuanyuan,WANG Haoran,ZHANG Daihua,XIE Huikai.AlN MEMS Microspeakers with High Compressive Stress[J].Journal of Transduction Technology,2018,31(8):1141-1146,1175. |
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| Authors: | YU Yuanyuan WANG Haoran ZHANG Daihua XIE Huikai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | piezoelectric microspeaker AlN thin films residual stresses sound pressure level |
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