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| 用正电子湮没技术研究中子辐 照直拉硅退火效应 | |
| 引用本文： | 朱育群,蒋骏,张逊,万玉金,刘彩池.用正电子湮没技术研究中子辐 照直拉硅退火效应[J].传感技术学报,1991,4(2):14-18. |
| 作者姓名： | 朱育群 蒋骏 张逊 万玉金 刘彩池 |
| 作者单位： | [1]东南大学 [2]河北工学院 |
| 摘 要： | 本文介绍用正电子湮没寿命测量技术研究中子辐照直拉硅的退火效应．结果表明，在所选定的退火时间条件下，充分退火的温度应高于650℃；如用中子辐照的方法制备SOI，则后续工艺中加温处理的温度不应高于550℃． |
| 关 键 词： | 正电子湮没 中子辐照 直拉硅 退火效应 自由拟合 约束拟合 |
Study of Annealing Effect of Neutron Irradiated Silicon Single Crystal By Positron Annihilation Technique |
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| Zhu Yuqun Jiang Jun Zhang Xun Wan Yujin Liu Cai Chi.Study of Annealing Effect of Neutron Irradiated Silicon Single Crystal By Positron Annihilation Technique[J].Journal of Transduction Technology,1991,4(2):14-18. | |
| Authors: | Zhu Yuqun Jiang Jun Zhang Xun Wan Yujin Liu Cai Chi |
| Affiliation: | Zhu Yuqun Jiang Jun Zhang Xun Wan Yujin Liu Cai Chi( Southeast Univ. ) ( Hebei Instityte of Technology) |
| Abstract: | |
| Keywords: | positron annihilation free fitting constrained fitting neutron transmutation |
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