| 用于温度传感器芯片的高精度低温度系数带隙基准源 |
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| 引用本文： | 王文建,叶剑兵.用于温度传感器芯片的高精度低温度系数带隙基准源[J].传感技术学报,2017,30(5). |
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| 作者姓名： | 王文建 叶剑兵 |
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| 作者单位： | 浙江商业职业技术学院 |
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| 基金项目： | 浙江省科技厅公益技术应用研究计划项目 |
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| 摘 要： | 为了满足温度传感器芯片对带隙基准源高性能的要求，设计了一种高精度低温度系数带隙基准源。该带隙基准源利用电阻比值校正了一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性，使得输出的基准电压的精度和温度系数有了很大提高。采用0.8μm BiCMOS（Bipolar-CMOS）工艺进行流片，带隙基准电路所占面积大小为0.04mm???2。测试结果表明：在5V电源电压下，在温度-40~125℃范围内，基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃，基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃；电源电压在4.0~7.0V之间变化时，基准电压的变化量为0.4 mV，电源调整率为0.13mV/V；基准电流的变化量为变化量约为0.02μA ，电源调整率为6.7nA /V。
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| 关 键 词： | 温度传感器芯片 带隙基准 温度系数 电源调整率 |
High Precision Low Temperature Coefficient Bandgap Reference for Temperature Sensor Chip |
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| Keywords: | |
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