| 以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究 |
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| 引用本文： | 魏榕山,邓宁,王民生,张爽,陈培毅,刘理天,张璟.以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究[J].传感技术学报,2006,19(5):1771-1774. |
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| 作者姓名： | 魏榕山 邓宁 王民生 张爽 陈培毅 刘理天 张璟 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
2. 英国帝国理工学院Blackett实验室,伦敦,英国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，面向21世纪教育振兴行动计划(985计划) |
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| 摘 要： | 设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310 nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185 nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5 mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.
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| 关 键 词： | 增透膜 气态源分子束外延 量子点 量子点红外探测器 暗电流密度 响应度 |
| 文章编号： | 1004-1699(2006)05-1771-04 |
| 修稿时间： | 2006年7月1日 |
Si-based Ge Quantum Dot Infrared Photodetectors with Si3N4 as Anti-reflection Coating |
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| WEI Rong-shan,DENG Ning,WANG Min-sheng,ZHANG Shuang,CHEN Pei-yi,LIU Li-tian,ZHANG Jing.Si-based Ge Quantum Dot Infrared Photodetectors with Si3N4 as Anti-reflection Coating[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):1771-1774. |
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| Authors: | WEI Rong-shan DENG Ning WANG Min-sheng ZHANG Shuang CHEN Pei-yi LIU Li-tian ZHANG Jing |
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| Affiliation: | 1. Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;)
(2. Blackett Laboratory, Imperial College of Science and Technology and Medicine, London, UK |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Anti-reflection coating GSMBE quantum dot quantum dot infrared photodetectors (QDIPs) dark current density photocurrent responsivity |
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