| 一种IDT/(002)ZnO/SiO2/Si多层结构的声表面波器件 |
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| 引用本文： | 朱 敏,刘智荣,包文歧,徐才华,谢立强.一种IDT/(002)ZnO/SiO2/Si多层结构的声表面波器件[J].传感技术学报,2021,34(10):1360-1365. |
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| 作者姓名： | 朱 敏 刘智荣 包文歧 徐才华 谢立强 |
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| 作者单位： | 陆军工程大学国防工程学院,江苏 南京210007 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（面上项目） |
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| 摘 要： | 以IDT/(002)ZnO/SiO2/Si多层结构的声表面波器件为研究对象,通过有限元软件对单对叉指的三维结构进行有限元仿真,得到了不同的ZnO膜厚对SAW器件所激发瑞利波的相速度、机电耦合系数的影响规律,以及SiO2膜厚与SAW器件频率温度系数之间的关系.采用热氧化、射频磁控溅射以及光刻工艺在Si衬底上分别制备SiO2膜、ZnO膜和IDT,制备了三组不同ZnO膜厚的延迟线型SAW器件.通过X射线衍射仪对制备的ZnO薄膜进行检测,结果表明ZnO薄膜具有良好的(002)晶体取向以及良好的结晶质量.采用矢量网络分析仪对所制作SAW器件进行了测试,得到了器件的传输曲线,实验结果与有限元仿真结果具有较好的一致性.
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| 关 键 词： | 声表面波 有限元仿真 多层结构 ZnO薄膜 SiO2薄膜 |
A Surface Acoustic Wave Device with IDT/( 002) ZnO/SiO2 /Si Multilayer Structure |
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| ZHU Min,LIU Zhirong,BAO Wenqi,XU Caihua,XIE Liqiang.A Surface Acoustic Wave Device with IDT/( 002) ZnO/SiO2 /Si Multilayer Structure[J].Journal of Transduction Technology,2021,34(10):1360-1365. |
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| Authors: | ZHU Min LIU Zhirong BAO Wenqi XU Caihua XIE Liqiang |
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