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| P-MOS电路在使用中的一些问题 | |
| 引用本文： | 王金生.P-MOS电路在使用中的一些问题[J].电子技术应用,1979(6). |
| 作者姓名： | 王金生 |
| 摘 要： | 目前,我国生产的P-MOS一般是P沟道增强型绝缘栅场效应管组成的中、小规模集成电路组件。七十年代初,在我国问世时,只作为组装台式计算机的品种系列。由于P-MOS有如下三大特征: (1)工艺较简单,成品率高,价格便宜; (2)便于集成化,品种齐全; (3)抗干扰性强,功耗很小。其应用范围迅速扩大。但主要缺点是速度较TTL集成电路低,因而在微处理机领域中,P-MOS已被淘汰,代之以N-MOS和C-MOS等新器件。但对于本身速度要求不高的自动化数字系统来说,其三大特征 |
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