| 一种低功耗高精度带隙基准的设计 |
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| 引用本文： | 李睿,冯全源.一种低功耗高精度带隙基准的设计[J].电子技术应用,2015,41(3):51-54. |
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| 作者姓名： | 李睿 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学微电子研究所,四川成都,611756 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大项目，国家自然科学基金面上项目 |
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| 摘 要： | 基于U MC 0.25μm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用N MOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿。仿真结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16μA;电源电压2.5 V~5.5 V,基准电压变化53μV;温度在-40℃~130℃内,电路的温度系数为0.86×10-6/℃;三种工艺角下,低频时电路电源抑制比都小于-95 d B。
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| 关 键 词： | 带隙基准 功耗 曲率补偿 低温漂 |
Design of a bandgap reference voltage with low power consumption and high-accuracy |
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| Li Rui,Feng Quanyuan.Design of a bandgap reference voltage with low power consumption and high-accuracy[J].Application of Electronic Technique,2015,41(3):51-54. |
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| Authors: | Li Rui Feng Quanyuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference power consumption curvature-compensation low temperature drift |
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