一种EEPROM中高压产生电路的设计与实现 |
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作者单位: | ;1.北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室;2.北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心;3.国网冀北电力有限公司 |
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摘 要: | 设计了一种应用于EEPROM的低电源电压的片内升压电路。基于电压倍乘电路,获得两倍于电源电压的驱动电压,用来驱动高压电荷泵电路得到EEPROM擦写用的15 V高压,实现EEPROM在1.3 V电压下稳定的工作。同时,基于负温度特性的电压分压电路实现电荷泵输出高压的负温度特性,提升了存储器在整个工作温度范围(-40℃~85℃)内的可靠性。设计的高压产生电路在0.13μm Embedded EEPROM CMOS工艺实现,工作电压为1.3 V~1.75 V,面积大小为600μm×80μm。
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关 键 词: | 电荷泵 EEPROM 带隙基准源 |
Design and realization of a high voltage generator circuit with low voltage applied in EEPROM |
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