| 基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管 |
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| 引用本文： | 车相辉,梁士雄,张立森,顾国栋,郝文嘉,杨大宝,陈宏泰,冯志红.基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管[J].电子技术应用,2019,45(8). |
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| 作者姓名： | 车相辉 梁士雄 张立森 顾国栋 郝文嘉 杨大宝 陈宏泰 冯志红 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室,河北石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室,河北石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400 kA/cm~2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。
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| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 峰值电流密度 峰谷电流比 |
High-current density terahertz resonant runneling diodes grown by MOCVD |
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