| 新型非易失存储I/O栈综述 |
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| 引用本文： | 陈祥,肖侬,刘芳.新型非易失存储I/O栈综述[J].计算机研究与发展,2014(Z1). |
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| 作者姓名： | 陈祥 肖侬 刘芳 |
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| 作者单位： | 高性能计算国家重点实验室(国防科学技术大学); |
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| 基金项目： | 国家“八六三”高技术研究发展计划基金项目(2012AA012402) |
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| 摘 要： | 随着新型非易失存储介质的出现,软件I/O栈的开销已经成为存储系统的性能瓶颈.首先详述了基于磁盘的传统I/O栈的各个软件层次和请求经过I/O栈的一般流程.在分析了传统I/O栈在闪存(flash)、相变存储器(phase change memory,PCM)等新型非易失存储介质构成的存储系统中存在的问题后,对专门为PCIe固态硬盘(solid state drive,SSD)设计的高性能主机控制器接口——NVMe接口及基于该接口的I/O栈、请求流程进行了详细介绍.最后,针对相变存储器、阻变存储器(resistive randomaccess memory,RRAM)和自旋转移矩磁阻随机存储器(spin-transfer torque magnetic random access memory,STT-MRAM)等下一代存储介质,对I/O栈在中断使用、文件系统权限检查等方面带来的性能问题进行了详细分析,指出未来I/O栈设计要考虑的问题.
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| 关 键 词： | 外存储器 I/O栈 新型非易失存储 PCIe固态硬盘 NVMe |
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