| 金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备 |
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| 引用本文： | 赵文雅,蒋洪川,陈寅之,张万里,刘兴钊,彭少龙,唐磊.金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备[J].测控技术,2013,32(4):23-25. |
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| 作者姓名： | 赵文雅 蒋洪川 陈寅之 张万里 刘兴钊 彭少龙 唐磊 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054
2. 中国燃气涡轮研究院测控室,四川江油,621703 |
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| 摘 要： | 采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al2O3层、Al2O3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al2O3保护层构成.静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45 μV/℃.测试温度可达到1000℃.时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势.
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| 关 键 词： | Pt/ITO薄膜热电偶 静态标定 热电势 塞贝克系数 |
Fabrication of Pt/ITO Thin-Film Thermocouple on Metal Substrates |
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| ZHAO Wen-ya
,
JIANG Hong-chuan
,
CHEN Yin-zhi
,
ZHANG Wan-li
,
LIU Xing-zhao
,
PENG Shao-long
,
TANG Lei.Fabrication of Pt/ITO Thin-Film Thermocouple on Metal Substrates[J].Measurement & Control Technology,2013,32(4):23-25. |
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| Authors: | ZHAO Wen-ya JIANG Hong-chuan CHEN Yin-zhi ZHANG Wan-li LIU Xing-zhao PENG Shao-long TANG Lei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Pt/ITO thin-film thermocouples static calibration thermoelectric power Seebeck coefficient |
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