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多巴胺在聚甘氨酸化学修饰电极上的催化氧化及其痕量测定
引用本文:王艳玲,刘海燕,张国荣.多巴胺在聚甘氨酸化学修饰电极上的催化氧化及其痕量测定[J].化学传感器,2002,22(1):44-51.
作者姓名:王艳玲  刘海燕  张国荣
作者单位:山东师范大学化学系,济南,250014
摘    要:用方波伏安法研究了多巴胺在电聚合甘氨酸膜修饰电极上的电化学行为,该修饰电极对多巴胺的氧化具有明显的催化作用,氧化峰电位负移,氧化电流明显增大,使得测定灵敏度显著提高.本文通过实验选择了最佳聚合时间,最佳pH条件,讨论了温度的影响以及反应机理.该电极有较宽的线性范围:2.5×10-7~1.2×10-4mol/L,检出限(信噪比=3)为8.0×10-9mol/L.对5×10-5mol/L多巴胺平行测定8次相对标准偏差为1.4%,该电极有效地排除了抗坏血酸的干扰,具有良好的稳定性和重现性,被用于样品中多巴胺的测定.

关 键 词:电催化氧化  多巴胺  聚甘氨酸  化学修饰电极  安培测定

Catalytic Oxidation of Dopamine at Polyglycine Chemically Modified Electrode and its Trace Determination
Wang Yan-ling,Liu Hai-yan,Zhang Guo-rong.Catalytic Oxidation of Dopamine at Polyglycine Chemically Modified Electrode and its Trace Determination[J].Chemical Sensors,2002,22(1):44-51.
Authors:Wang Yan-ling  Liu Hai-yan  Zhang Guo-rong
Abstract:
Keywords:
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