基于Nation和纳米金及明胶修饰的电位型高灵敏IgG免疫传感器的研究

利用滴涂于铂盘表面的Nation膜中负电性的磺酸基与anti—IgG分子中的氨基阳离子之间的静电作用实现抗体的结合，同时通过负电性的纳米金增加抗体的固定量，最后在修饰电极的表面涂敷一层明胶（Gelatin）薄膜进行固定，制成Gelatin／anti—IgG／Au／Nafion／Pt膜，制得非标记免疫传感器．用循环伏安法（CV）和交流阻抗法（Nyquist）对电极逐层修饰过程进行了表征，并对免疫传感器的性能进行了研究．该传感器测定IgG的最低浓度为2．0μg／L，标准曲线的线性范围在5—960μg／L，回归方程为：△E=2．2＋31．7logIgG]，响应时间为5min．此传感器制备过程简单、稳定性好、灵敏度高、具有良好的选择性，用于生物样品分析，结果令人满意。