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应用于RFID的超低功耗CMOS温度传感器设计
引用本文:吴翔,邓芳明,何怡刚,丁青锋.应用于RFID的超低功耗CMOS温度传感器设计[J].传感器与微系统,2016(2).
作者姓名:吴翔  邓芳明  何怡刚  丁青锋
作者单位:1. 华东交通大学 电气与电子工程学院,江西 南昌,330013;2. 华东交通大学 电气与电子工程学院,江西 南昌330013;合肥工业大学 电气与自动化学院,安徽 合肥230009;3. 合肥工业大学 电气与自动化学院,安徽 合肥,230009
基金项目:国家杰出青年科学基金资助项目,教育部科学技术研究重大项目,安徽省科技计划重点项目,江西省科技厅青年科学基金资助项目,华东交通大学校立科研基金资助项目
摘    要:针对融合射频识别( RFlD)的无线温度传感器节点设计的需求,采用0. 18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器.该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,再通过计数器,将频率信号转换为数字信号.传感器电路利用MOS管工作在亚阈值区,并采用动态阈值技术获得超低功耗.测试结果显示:所设计的温度传感器仅占用0. 051 mm2 ,功耗仅为101 nW,在0~100℃范围内误差为-1. 5~1. 2℃.

关 键 词:温度传感器  射频识别技术  互补金属氧化物半导体工艺

Design of ultra-low power consumption CMOS temperature sensor applied in RFID
WU Xiang,DENG Fang-ming,HE Yi-gang,DING Qing-feng.Design of ultra-low power consumption CMOS temperature sensor applied in RFID[J].Transducer and Microsystem Technology,2016(2).
Authors:WU Xiang  DENG Fang-ming  HE Yi-gang  DING Qing-feng
Abstract:Aiming at design demand for wireless temperature sensor node which integrates RFlD,design a low power consumption integrated temperature sensor,using 0. 18 μm 1P6M CMOS process,design an integrated temperature sensor with low power consumption. Firstly,it transfers temperature signal to voltage signal,which is then converted to frequency signal by a voltage-controlled oscillator and the frequency signal is finally converted to digital signal by counter. Sensor circuit works in sub-threshold region and employs dynamic threshold-voltage to achieve ultra-low power consumption. Later period test result show that the designed temperature sensor only covers an area of 0. 051 mm2 ,consumes only 101 nW power with an error -1. 5~1. 2℃,at range of 0~100℃.
Keywords:temperature sensor  RFID technology  CMOS process
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