| 压阻式高量程微加速度计的冲击校准 |
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| 引用本文： | 郇勇,张泰华,杨业敏,王钻开,陆德仁.压阻式高量程微加速度计的冲击校准[J].传感器与微系统,2003,22(11):78-80. |
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| 作者姓名： | 郇勇 张泰华 杨业敏 王钻开 陆德仁 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,力学研究所,非线性力学国家重点实验室,北京,100080
2. 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10102021)和(10172086)，中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-SW-L2)，973项目(G1999033103)的共同资助 |
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| 摘 要： | 采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下,被测微加速度计的灵敏度为1.26μV/gn。
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| 关 键 词： | 微电子机械系统 微加速度计 Hopkinson杆 校准 |
| 文章编号： | 1000-9787(2003)11-0078-03 |
| 修稿时间： | 2003年6月24日 |
Shock calibration of piezoresistive high-gn microaccelerometer |
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| Abstract: | A piezoresistive high gn microaccelerometer, whose capacity is designed up to 50#000#gn,has been developed by using silicon micromachining and diffusion techniques.The chip is made of single crystal silicon and is packaged with ceramics.In order to determine the dynamic sensitivity,shock calibration tests are performed by using Hopkinson bar at up to 40#000#gn acceleration level.The microaccelerometer has a measured sensitivity of 1.26 μV/gn with a 6.33#V bridge excitation voltage. |
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| Keywords: | MEMS microaccelerometer Hopkinson bar calibration |
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