| 4H-SiC ICP深刻蚀工艺研究 |
| |
| 引用本文： | 喻兰芳,梁庭,熊继军,崔海波,刘雨涛,张瑞.4H-SiC ICP深刻蚀工艺研究[J].传感器与微系统,2014,33(10). |
| |
| 作者姓名： | 喻兰芳 梁庭 熊继军 崔海波 刘雨涛 张瑞 |
| |
| 作者单位： | 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原030051 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，国家重点基础研究计划(“973”)资助项目 |
| |
| 摘 要： | SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀。采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的影响,并对产生的结果进行了相关分析。提出了一种SiC ICP深刻蚀方法,对SiC深刻蚀技术具有重要的指导意义。
|
| 关 键 词： | SiC ICP深刻蚀 刻蚀气体 源功率RF 射频功率RF 腔室压强 |
Research on ICP deep etching process of 4H-SiC |
| |
| YU Lan-fang,LIANG Ting,XIONG Ji-jun,CUI Hai-bo,LIU Yu-tao,ZHANG Rui.Research on ICP deep etching process of 4H-SiC[J].Transducer and Microsystem Technology,2014,33(10). |
| |
| Authors: | YU Lan-fang LIANG Ting XIONG Ji-jun CUI Hai-bo LIU Yu-tao ZHANG Rui |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SiC ICP deep etching etching gas source power RF1 radio frequency power RF2 chamber pressure |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
