| 高温压力传感器温度漂移补偿研究 |
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| 引用本文： | 王权,丁建宁,王文襄,范真.高温压力传感器温度漂移补偿研究[J].传感器与微系统,2005,24(2):13-15. |
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| 作者姓名： | 王权 丁建宁 王文襄 范真 |
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| 作者单位： | 1. 江苏大学,微纳米科学技术研究中心,江苏,镇江,212013
2. 昆山双桥传感器测试技术有限公司,江苏,苏州,215325 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家传感器技术科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 针对高温压力传感器耐高温和高压的测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅杯式芯片版图,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片,在微加工平台上制作了该芯片,获得了差动等臂等应变的惠斯登检测电桥。对采用耐高温封装后的传感器的热零点漂移、热灵敏度漂移和零位输出的补偿作了研究,设计了补偿电路,推导了热灵敏度漂移补偿的计算公式,在通用型高温压力传感器的研发中证明其可行性和实用性,并总结出了经验公式。
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| 关 键 词： | 高温压力传感器 惠斯登电桥 恒流源 温度系数补偿 |
| 文章编号： | 1000-9787(2005)02-0013-03 |
| 修稿时间： | 2004年7月20日 |
Research of temperature shift compensation of high temperature pressure sensor |
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| WANG Quan,DING Jian-ning,WANG Wen-xiang,FAN Zhen.Research of temperature shift compensation of high temperature pressure sensor[J].Transducer and Microsystem Technology,2005,24(2):13-15. |
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| Authors: | WANG Quan DING Jian-ning WANG Wen-xiang FAN Zhen |
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| Abstract: | For the requirement of high temperature and pressure measurement for high temperature pressure sensor,the strain gauge chip of piezoresistive pressure sensor is designed and fabricated in the micro-machining workshop based on SOI(silicon on insulator) of SIMOX(separation by implanted oxygen)technology.The equal strain Wheatstone detective bridge is gained.The research is done for thermal zero shift,thermal sensitivity shift and zero output compensation of the packaged sensor.The compensation circuit is selected and the quantitative thermal sensitivity shift compensation formula is deduced in mathematics.In the fabrication of the sensor,its feasibility and practicability are testified. |
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| Keywords: | high temperature pressure sensor Wheatstone bridge constant current TC compensation |
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