| 基于JFET的低噪声感应式磁传感器设计 |
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| 引用本文： | 李珉,柏逢明.基于JFET的低噪声感应式磁传感器设计[J].传感器与微系统,2014,33(11):86-88. |
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| 作者姓名： | 李珉 柏逢明 |
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| 作者单位： | 1. 长春理工大学电子信息工程学院,吉林长春130022;长春工业大学人文信息学院,吉林长春130122
2. 长春理工大学电子信息工程学院,吉林长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家“863”高技术研究发展计划支持项目 |
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| 摘 要： | 在航空瞬变电磁（TEM）大深度测量时,由于飞行过程中共模噪声和天电噪声的引入,致使传统感应式磁传感器（IMS）探测灵敏度降低,无法满足地质探测深度的需要。为了增加IMS探测微弱磁场信号的能力,通过理论分析IMS的物理结构和前置放大电路的机理,研究了噪声引入的主要来源,建立了基于结型场效应晶体管（JFET）的IMS等效模型,设计了一种低噪声IMS。通过在屏蔽室内对所研制的IMS性能进行测试,结果表明：其输入噪声为2nV/Hz1/2@10 kHz,3 dB响应带宽达到42 kHz,较3D—3磁传感器信噪比提高了10.04dB,为其在实际项目应用提供了可靠的性能保障。
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| 关 键 词： | 瞬变电磁 感应式磁传感器 结型场效应晶体管 低噪声 |
Design of low noise inductive magnetic sensor based on JFET |
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| LI Min,BAI Feng-ming.Design of low noise inductive magnetic sensor based on JFET[J].Transducer and Microsystem Technology,2014,33(11):86-88. |
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| Authors: | LI Min BAI Feng-ming |
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| Affiliation: | LI Min, BAI Feng-ming ( 1. College of Electronics and Information Engineering, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China; 2. College of Humanities and Information, Changchun University of Technology, Changchun 130122, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | transient electromagnetic (TEM) inductive magnetic sensor (IMS) junction field effect transistor (JFET) low noise |
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