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单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法
引用本文:王世清,姜彤,侯占民.单晶硅压力传感器温度漂移的补偿方法[J].传感器与微系统,2006,25(7):33-35,39.
作者姓名:王世清  姜彤  侯占民
作者单位:中国电子科技集团公司,第四十九研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
摘    要:介绍了单晶硅压力传感器温度漂移的机理,阐述了采取串并联电阻网络和有源电路分段等综合补偿方法的补偿原理.实验结果表明:在-45~85℃温区内,补偿后,热零点漂移和热灵敏度漂移从±0.5%FS/℃提高到±0.014%FS/℃.

关 键 词:传感器  热零点漂移  热灵敏度漂移  补偿
文章编号:1000-9787(2006)07-0033-03
收稿时间:2006-04-29
修稿时间:2006-04-29

Temperature compensation of mono crystal silicon pressure sensor
WANG Shi-qing,JIANG Tong,HOU Zhan-min.Temperature compensation of mono crystal silicon pressure sensor[J].Transducer and Microsystem Technology,2006,25(7):33-35,39.
Authors:WANG Shi-qing  JIANG Tong  HOU Zhan-min
Abstract:
Keywords:sensor  temperature drift of the off set  sensitivity temperature drift  compensation
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