| In_2O_3基气体传感器研究现状 |
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| 引用本文： | 詹自力,徐甲强,蒋登高. In_2O_3基气体传感器研究现状[J]. 传感器与微系统, 2003, 22(3): 1-3 |
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| 作者姓名： | 詹自力 徐甲强 蒋登高 |
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| 作者单位： | 1. 郑州大学,化工学院,河南,郑州,450002
2. 郑州轻工学院,化工系,河南,郑州,450002 |
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| 摘 要： | 氧化铟作为一种新的气敏材料,有望在一定程度上解决现有气体传感器中存在的选择性差和工作温度高等问题。因此,按照被检测气体的种类,从In2O3的气敏材料制备及气敏性能两方面对现有性能较好的In2O3气体传感器进行了评述,并指出了In2O3基半导体气体传感器的发展方向。
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| 关 键 词： | 三氧化二铟 气敏材料 气体传感器 |
| 文章编号： | 1000-9787(2003)03-0001-03 |
| 修稿时间： | 2002-11-04 |
State of In2O3-based gas sensors |
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| Abstract: | ?In2O3,as a kind of new gas sensing material,will solve some problems in the gas sensors,such as poor selectivity,high working temperature.Therefore,the gas sensing properties of In2O3 are emphasized according to the species of gases.The preparation of material and simple judgment on the sensors are also included. |
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| Keywords: | indium oxide(In_2O_3) gas sensing material gas sensor |
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