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| p-n结光谱响应特性分析 | |
| 引用本文： | 程东方,吴丁祥,朱锦良,蔡仁康,林庆华,李欣年.p-n结光谱响应特性分析[J].传感器与微系统,1987(Z1). |
| 作者姓名： | 程东方 吴丁祥 朱锦良 蔡仁康 林庆华 李欣年 |
| 作者单位： | 上海科技大学 (程东方，吴丁祥，朱锦良，蔡仁康，林庆华)，上海科技大学(李欣年) |
| 摘 要： | <正> 本文以n~+—p浅结硅光电二极管为例,通过解连续方程用计算机对器件光谱响应特性进行分析,结果表明:表面复合速度、掺杂分布、结深是影响光谱响应的主要因素。报告中提出了计算公式,所有计算工作由微机完成。 |
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