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| 组合了数据和编码存储的快擦写存储器 | |
| 引用本文： | 彭海英.组合了数据和编码存储的快擦写存储器[J].新电脑,1997(6). |
| 作者姓名： | 彭海英 |
| 摘 要： | Intel公司推出的第三代SmartVoltagE快接写存储器芯片能在实时系统中读出编码和写入数据，而不再需要分离的EPROM或用于数据存储的电池后接SRAM。这种SYnart35Ejlf的密封保护罩式快擦写存储器有三种密度一4，8和16MbitS，并且适合字节或字宽I／0总线结构。该存储器阵列采用可变尽寸的扇段结构，不管是编码或数据存储都具有8个SKB数据块和多至31个64KB主字块。Smart3技术使快擦写存储器在读和写或擦除存储单元时只需2．7V到3．6V的电源。这种存储器还能接到低电压的1．SV微型控制器和DSP芯片上。这些芯片采用一种称作“快擦写数… |
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