| 基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计 |
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| 引用本文： | 黄浩峰.基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计[J].数字社区&智能家居,2007(17). |
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| 作者姓名： | 黄浩峰 |
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| 作者单位： | 东南大学IC学院,江苏,南京,210096 |
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| 摘 要： | 分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案.采用常规的CMOS铝栅工艺.整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合.自举电容起的作用:(1)隔离高压(2)传输高压功率管的控制信号.此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片.此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功.测试各项指标都达到设计要求.
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| 关 键 词： | 常规CMOS工艺 自举 电容耦合 高压管驱动芯片 |
The Design of A IC for Elrectronic Ballasts with Standard CMOS Technology |
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| HUANG Hao-feng.The Design of A IC for Elrectronic Ballasts with Standard CMOS Technology[J].Digital Community & Smart Home,2007(17). |
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| Authors: | HUANG Hao-feng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | stand CMOS dual low voltage ICs self-boost capacitive coupling |
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