F~-在γ-Al_2O_3(110)表面吸附的密度泛函理论研究 |
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引用本文: | 张亚楠,薛济来,庄卫东,李想,朱骏,朱鸿民.F~-在γ-Al_2O_3(110)表面吸附的密度泛函理论研究[J].计算机与应用化学,2015(2). |
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作者姓名: | 张亚楠 薛济来 庄卫东 李想 朱骏 朱鸿民 |
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作者单位: | 1. 北京科技大学冶金与生态工程学院,北京,100083 2. 北京有色金属研究总院,北京,100088 |
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基金项目: | 高等学校博士学科点专向科研基金资助项目(20110006110003);国家自然科学基金资助项目 |
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摘 要: | 采用密度泛函理论广义梯度近似平面波赝势法结合周期平板模型,研究F离子在γ-Al_2O_3(110)非极性表面的吸附行为,分析了F~-离子在其表面不同吸附位以及不同覆盖度下吸附构型和电子特性。结果表明:表面配位不饱和的Al为F~-离子活性吸附位,F离子在γ-Al_2O_3(110)表面化学吸附后形成F-Al键促使F~-离子活化;F~-离子在Al_Ⅲ(1)桥位吸附时最稳定。随着覆盖度增加,吸附能增大,F离子与表层原子的距离(d_(F~--surf)缩短:同时表面吸附F离子引起表层及次表层原子层间距发生不同程度偏移,最大幅度为10.07%。差分电荷密度与电子态密度分析指出,F离子在γ-Al_2O_3(110)表面吸附主要是由F~-离子2s和2p轨道与γ-Al_2O_3基底Al的3p轨道相互作用所致。
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关 键 词: | γ-Al2O3(110)表面 密度泛函理论 吸附 差分电荷密度 电子态密度 |
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