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半导体材料掺杂机理
引用本文:
杨振铎.半导体材料掺杂机理[J].化工新型材料,1985(9).
作者姓名:
杨振铎
摘 要:
半导体材料如硅和锗,通过掺杂Ⅲ,Ⅴ族的化学元素,如用砷、磷、硼的化合物可改变半导体材料的电学性能。这种被掺杂的元素,称掺杂源,有固体、液体和气体三类,根据半导体材料及器件制造的要求,可选择不同的掺杂源。这种掺杂过程在半导体工艺中称为扩散,是改造半导体材料的电学性能和半导体器件生产过程中的一项非常重要的工艺。
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