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| 纳米ZnO掺杂及性能研究新进展 | |
| 引用本文： | 苏照伟,方莹,李镇,徐坤.纳米ZnO掺杂及性能研究新进展[J].化工新型材料,2014(1). |
| 作者姓名： | 苏照伟 方莹 李镇 徐坤 |
| 作者单位： | 南京工业大学材料科学与工程学院; |
| 基金项目： | 江苏省高校优势学科建设工程资助项目(PAPD) |
| 摘 要： | 作为一种新的宽禁带半导体材料,氧化锌的能带间隙为3.37eV,在光学、电学、光催化、太阳能电池制造方面表现出了更优良的性能,是一种良好的可替代宽禁带半导体。当然氧化锌存在着许多固有缺陷而影响了它的性能,离子的掺杂是一种有效的改性方法。着重介绍离子的掺杂对氧化锌性能的作用的机理过程和研究现状,并对其未来的发展趋势进行可行性的预见。 |
| 关 键 词： | 氧化锌 纳米 掺杂 光催化 |
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