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磁控溅射法在玻璃基片制备VO_2薄膜的结构与性能
引用本文:黄维刚,王燕.磁控溅射法在玻璃基片制备VO_2薄膜的结构与性能[J].功能材料,2010,41(5).
作者姓名:黄维刚  王燕
作者单位:四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610065
摘    要:采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜。采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性。实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向。基片温度在400℃以上的VO2薄膜均出现较好的相变特性,500℃时的薄膜相变特性最佳。薄膜的红外透过率随着沉积温度的增加而逐渐增加。

关 键 词:VO2薄膜  射频磁控溅射法  相变特性

Microstructure and property of VO2 thin films deposited on glass substrate by R.F magnetron sputtering
HUANG Wei-gang,WANG Yan.Microstructure and property of VO2 thin films deposited on glass substrate by R.F magnetron sputtering[J].Journal of Functional Materials,2010,41(5).
Authors:HUANG Wei-gang  WANG Yan
Abstract:
Keywords:
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