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| 生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响 | |
| 引用本文： | 郭杰,孙维国,陈慧娟,彭震宇,鲁正雄,郝瑞亭,周志强,许应强,牛智川.生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响[J].功能材料,2008,39(10). |
| 作者姓名： | 郭杰 孙维国 陈慧娟 彭震宇 鲁正雄 郝瑞亭 周志强 许应强 牛智川 |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009 2. 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009 3. 中科院半导体研究所,北京,100083 |
| 摘 要： | 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长InAs(4ML)/GaSb(8ML)超晶格(SLs).研究了生长温度(400～440℃)对超晶格晶体结构和表面形貌的影响.结果表明,420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小,其荧光光谱(PL)峰值波长在约2.54μm处,响应光谱50%截止波长在约2.4μm处.通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面,并发现生长温度强烈影响混合界面InAs/GaSb超晶格结构和表面形貌,而对InSb界面超晶格的影响较小. |
| 关 键 词： | 生长温度 界面 |
Effect of growth temperature on crystal quality and surface morphology of InAs/GaSb superlattices |
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| GUO Jie,SUN Wei-guo,CHEN Hui-juan,PENG Zhen-yu,LU Zheng-xiong,HAO Rui-ting,ZHOU Zhi-qiang,XU Ying-qiang,NIU Zhi-chuan.Effect of growth temperature on crystal quality and surface morphology of InAs/GaSb superlattices[J].Journal of Functional Materials,2008,39(10). | |
| Authors: | GUO Jie SUN Wei-guo CHEN Hui-juan PENG Zhen-yu LU Zheng-xiong HAO Rui-ting ZHOU Zhi-qiang XU Ying-qiang NIU Zhi-chuan |
| Abstract: | |
| Keywords: | InAs/GaSb XRD |
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