| 溅射共沉积GaAs—SiO2复合薄膜的XPS研究 |
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| 引用本文： | 石旺舟,林揆训.溅射共沉积GaAs—SiO2复合薄膜的XPS研究[J].功能材料,1997,28(4):366-367. |
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| 作者姓名： | 石旺舟 林揆训 |
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| 作者单位： | 汕头大学物理系 |
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| 摘 要： | 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。
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| 关 键 词： | 纳米 复合薄膜 砷化镓 XPS 二氧化硅 半导体 |
The XPS Investigation of GaAs SiO 2 Composite Thin Films Deposited by Co sputtering |
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| Shi Wangzhou,Lin Kuixun,Lin Xuanying.The XPS Investigation of GaAs SiO 2 Composite Thin Films Deposited by Co sputtering[J].Journal of Functional Materials,1997,28(4):366-367. |
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| Authors: | Shi Wangzhou Lin Kuixun Lin Xuanying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanometer composite thin film GaAs SiO 2 XPS |
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