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SiCl4-H2为气源低温制备多晶硅薄膜
引用本文:黄创君,林璇英,林揆训,余云鹏,余楚迎,池凌飞.SiCl4-H2为气源低温制备多晶硅薄膜[J].功能材料,2002,33(6):650-652.
作者姓名:黄创君  林璇英  林揆训  余云鹏  余楚迎  池凌飞
作者单位:汕头大学物理系,广东,汕头,515063
基金项目:国家科委国家重大基础研究“973”资助项目 (G2 0 0 0 0 2 82 0 )
摘    要:以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。

关 键 词:多晶硅薄膜  SiCl4/H2气源  低温生长  结晶度
文章编号:1001-9731(2002)06-0650-03
修稿时间:2002年6月5日

Preparation of poly-silicon thin film in low temperature using SiCl4/H2 gas source
HUANG Chuang jun,LIN Xuan ying,LIN Kui xun,YU Yun peng,YU Chu ying,CHI Ling fei.Preparation of poly-silicon thin film in low temperature using SiCl4/H2 gas source[J].Journal of Functional Materials,2002,33(6):650-652.
Authors:HUANG Chuang jun  LIN Xuan ying  LIN Kui xun  YU Yun peng  YU Chu ying  CHI Ling fei
Abstract:
Keywords:poly  silicon films  SiCl  4/H  2  gas source  low  temperature growth  crystallinity
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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