| PCVD法制备硅系纳米复合薄膜材料 |
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| 引用本文： | 贾嘉.PCVD法制备硅系纳米复合薄膜材料[J].功能材料,2004,35(Z1):3201-3204. |
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| 作者姓名： | 贾嘉 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点,成为重要的前沿研究领域之一.其中半导体纳米复合材料,尤其是硅系纳米复合薄膜,由于具有独特的光电性能,加之与集成电路相兼容的制备技术,有着广泛的应用前景.近年来关于纳米复合薄膜的研究不断深入,但仍有许多问题没有完全解决.本文围绕硅系纳米复合薄膜的材料特点,说明了等离子体化学气相沉积(PCVD)技术的工作原理和装置结构,以及该技术在硅系纳米复合薄膜制备中的独特优点.并以氮化硅薄膜为重点,介绍纳米复合薄膜材料的PCVD制备技术.文章最后对硅系纳米复合薄膜的在光电技术等各个领域的应用前景做了一些展望.
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| 关 键 词： | PCVD制备技术 硅系材料 纳米复合薄膜 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-3201-04 |
| 修稿时间： | 2004年2月27日 |
Preparation of Si-basednano-composite film materials by PCVD |
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| JIA Jia.Preparation of Si-basednano-composite film materials by PCVD[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):3201-3204. |
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| Authors: | JIA Jia |
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