| 高密度与低电阻率ZnO:Al靶材的制备及缺陷分析 |
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| 引用本文： | 许积文,王华,任明放,杨玲.高密度与低电阻率ZnO:Al靶材的制备及缺陷分析[J].功能材料,2007,38(9):1457-1459,1463. |
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| 作者姓名： | 许积文 王华 任明放 杨玲 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004 |
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| 基金项目： | 广西高校百名中青年学科带头人项目 |
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| 摘 要： | 以纳米量级的ZnO和Al2O3粉体为原料,通过湿式球磨得到了混合粉体,再经过模压成型与常压烧结工艺即可获得致密度超过95%的ZnO:Al陶瓷靶材,其电阻率可达10-2Ω·cm数量级.高致密度的原因在于纳米粉体具有大的比表面积和粒子数,烧结均匀,气孔较少.低电阻率在于Al3 对Zn2 替代产生的自由电子.同时对靶材中的黑点进行了分析,EDS显示其不仅存在N元素,而且Al含量与致密度比正常区域低,其原因与粉体颗粒的均匀性有关.
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| 关 键 词： | ZAO靶材 纳米粉体 致密度 电阻率 黑点 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）09-1457-03 |
| 修稿时间： | 2007-02-082007-06-07 |
Preparation of higher dense and low resistive ZnO:Al target and analysis of defect |
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| XU Ji-wen,WANG Hua,REN Ming-fang,Yang Ling.Preparation of higher dense and low resistive ZnO:Al target and analysis of defect[J].Journal of Functional Materials,2007,38(9):1457-1459,1463. |
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| Authors: | XU Ji-wen WANG Hua REN Ming-fang Yang Ling |
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| Affiliation: | Department of Information Material Science and Engineeri.ng,Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZAO target nanoscale powder density resistivity dark spot |
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