|
|||||
|
|
| 硅基三元系PMnN-PZT铁电薄膜制备与研究 | |
| 引用本文： | 张涛,张淑仪,李敏,周胜男,孙斌.硅基三元系PMnN-PZT铁电薄膜制备与研究[J].功能材料,2012,43(13):1759-1761. |
| 作者姓名： | 张涛 张淑仪 李敏 周胜男 孙斌 |
| 作者单位： | 1. 西安科技大学理学院,陕西西安710054 南京大学声学研究所,江苏南京210093 2. 南京大学声学研究所,江苏南京,210093 3. 西安科技大学理学院,陕西西安,710054 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，教育部博士点基金资助项目，中国博士后科学基金面上资助项目，陕西省自然科学基金青年人才资助项目，陕西省教育厅产业化专项基金资助项目，西安市科技局工业攻关计划资助项目(CXY1125 |
| 摘 要： | 利用磁控溅射方法在单晶Si基底上沉积三元系铁电薄膜6%PMnN-94%PZT(6%Pb(Mn1/3,Nb2/3)O3-94%Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3),采用淬火方法对薄膜进行处理,以促进薄膜钙钛矿结构形成。同时,在相同条件下制备非掺杂PZT(52/48)薄膜以对比薄膜掺杂效果。运用X射线衍射(XRD)技术分析薄膜晶向及晶体结构,运用Sawyer Tower电路测试薄膜铁电性能,运用激光测振仪测试薄膜的压电系数。实验结果表明,所沉积薄膜为多晶钙钛矿结构铁电薄膜,薄膜铁电剩余极化Pr=23.7μC/cm2,饱和极化Ps=40μC/cm2,矫顽场电压2Ec=139kV/cm,横向压电系数e11=-13.2C/m2,薄膜的铁电及压电性能优良。 |
| 关 键 词： | 多晶铁电薄膜 磁控溅射 铁电性能 压电性能 |
Fabrication and characterization of ternary compound PMnN-PZT thin films on silicon substrates |
|
| ZHANG Tao,ZHANG Shu-yi,LI Min,ZHOU Sheng-nan,SUN Bin.Fabrication and characterization of ternary compound PMnN-PZT thin films on silicon substrates[J].Journal of Functional Materials,2012,43(13):1759-1761. | |
| Authors: | ZHANG Tao ZHANG Shu-yi LI Min ZHOU Sheng-nan SUN Bin |
| Affiliation: | 1(1.College of Science,Xi’an University of Science and Technology,Xi’an 710054,China; 2.Institute of Acoustics,Nanjing University,Nanjing 210093,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | polycrystal ferroelectric thin film magnetron sputtering ferroelectricity piezoelectricity |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |