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单晶PMnN-PZT铁电薄膜制备与表征
引用本文:张涛,马宏伟,张淑仪,李敏,赵省贵.单晶PMnN-PZT铁电薄膜制备与表征[J].功能材料,2012,43(11):1431-1433.
作者姓名:张涛  马宏伟  张淑仪  李敏  赵省贵
作者单位:1. 西安科技大学理学院,陕西西安710054/南京大学声学研究所,江苏南京210093
2. 西安科技大学理学院,陕西西安,710054
3. 南京大学声学研究所,江苏南京,210093
基金项目:国家自然科学基金资助项目,教育部博士点基金资助项目,中国博士后基金面上资助项目,陕西省自然科学基金青年人才项目资助项目,陕西省教育厅产业化专项基金资助项目,西安市科技局工业攻关计划资助项目(CXY1125
摘    要:利用磁控溅射方法,在MgO基底上沉积三元系铁电薄膜6%PMnN-94%PZT(6%Pb(Mn1/3,Nb2/3)O3-94%Pb(Zr0.45,Ti0.55)O3),采用淬火方法对薄膜进行后期热处理。分别运用面内和面外X射线衍射(XRD)技术分析薄膜长相及晶体结构,运用高分辨率扫描电镜(SEM)观察薄膜的晶粒表面及截面结构。实验结果表明,所沉积薄膜为单晶钙钛矿结构薄膜,薄膜结构优良。

关 键 词:PMnN-PZT  单晶铁电薄膜  磁控溅射

Fabrication and characterization of single crystal PMnN-PZT ferroelectric thin film
ZHANG Tao,MA Hong-wei,ZHANG Shu-yi,LI Min,ZHAO Sheng-gui.Fabrication and characterization of single crystal PMnN-PZT ferroelectric thin film[J].Journal of Functional Materials,2012,43(11):1431-1433.
Authors:ZHANG Tao  MA Hong-wei  ZHANG Shu-yi  LI Min  ZHAO Sheng-gui
Affiliation:1(1.College of Science,Xi’an University of Science and Technology,Xi’an 710054,China; 2.Institute of Acoustics,Nanjing University,Nanjing 210093,China)
Abstract:The ternary compound ferroelectric thin films,6% Pb(Mn1/3,Nb2/3)O3-94%Pb(Zr0.45,Ti0.55)O3(PMnN-PZT),were deposited on the MgO substrates by the magnetron sputtering method,and the quench method was adopted for the post heat treatment.The out-plane and in-plane X-ray diffractions were used to characterize the crystal structure of the PMnN-PZT thin films,and the highly accurate scan electron microscope is used to observe the surface and the cross section surface of the thin films.It can be obtained that the PMnN-PZT thin films own single crystal structure and perovskite phase.
Keywords:PMnN-PZT  single crystal ferroelectric thin film  magnetron sputtering
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