| 等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究 |
| |
| 引用本文： | 王金忠,王新强,王剑刚,姜秀英,杨树人,杜国同,高鼎三,LIU Xiang,CAO Hui,XU Jun-ying,CHANG R P H.等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究[J].功能材料,2001,32(5):502-503. |
| |
| 作者姓名： | 王金忠 王新强 王剑刚 姜秀英 杨树人 杜国同 高鼎三 LIU Xiang CAO Hui XU Jun-ying CHANG R P H |
| |
| 作者单位： | 吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室，吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室，吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室，吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室，吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室，吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室，吉林大学电子工程系光 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 (698962 60 )，吉林省科学基金 (5991 0 1 61 983)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石 (α Al2 O3)上生长了ZnO薄膜 ,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值 ,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量 ,其结果是 :退火薄膜的电子浓度低达 10 15/cm3 量级、激光阈值降低近 30倍、X光衍射峰半高宽是 0 .2 9°、在 388nm附近的光致发光谱峰半高宽为 0 .32nm。这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高
|
| 关 键 词： | 等离子体辅助MOCVD X光衍射 光致发光 激光阈值 氧化锌薄膜 退火 |
| 文章编号： | 1001-9731(2001)05-0502-02 |
| 修稿时间： | 2000年6月20日 |
The studies of the annealed ZnO films grown by plasma-assisted MOCVD |
| |
| LIU Xiang,CAO Hui,XU Jun-ying,CHANG R P H.The studies of the annealed ZnO films grown by plasma-assisted MOCVD[J].Journal of Functional Materials,2001,32(5):502-503. |
| |
| Authors: | LIU Xiang CAO Hui XU Jun-ying CHANG R P H |
| |
| Affiliation: | 1. 吉林大学
2. Material Research Center, Northwestern University, |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | plasma assisted MOCVD XRD PL optical threshold |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
