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Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究
引用本文:邓荣斌,王茺,陈寒娴,杨瑞东,秦芳,肖军,杨宇.Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究[J].功能材料,2008,39(5):779-782.
作者姓名:邓荣斌  王茺  陈寒娴  杨瑞东  秦芳  肖军  杨宇
作者单位:云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091
摘    要:对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.

关 键 词:退火  微晶硅薄膜    太阳能电池
文章编号:1001-9731(2008)05-0779-04
修稿时间:2007年9月29日

The crystallization affected by annealing studied on microcrystalline silicon thin films fabricated on tantalum
DENG Rong-bin,WANG Chong,CHEN Han-xian,YANG Rui-dong,QIN Fang,XIAO Jun,YANG Yu.The crystallization affected by annealing studied on microcrystalline silicon thin films fabricated on tantalum[J].Journal of Functional Materials,2008,39(5):779-782.
Authors:DENG Rong-bin  WANG Chong  CHEN Han-xian  YANG Rui-dong  QIN Fang  XIAO Jun  YANG Yu
Abstract:
Keywords:
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