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AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积
引用本文:丁艳芳,门传玲,陈韬,朱自强,林成鲁.AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积[J].功能材料,2005,36(12):1831-1833.
作者姓名:丁艳芳  门传玲  陈韬  朱自强  林成鲁
作者单位:1. 华东师范大学,信息学院,上海,200062
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000036506)
摘    要:研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质。结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升。AlN晶粒呈柱状生长机制。

关 键 词:AlN薄膜  KrF准分子脉冲激光沉积  微结构
文章编号:1001-9731(2005)12-1831-03
修稿时间:2004年12月6日

Pulsed KrF excimer laser deposition of AlN thin films
DING Yan-fang,MEN Chuan-ling,CHEN Tao,ZHU Zhi-qiang,LIN Cheng-lu.Pulsed KrF excimer laser deposition of AlN thin films[J].Journal of Functional Materials,2005,36(12):1831-1833.
Authors:DING Yan-fang  MEN Chuan-ling  CHEN Tao  ZHU Zhi-qiang  LIN Cheng-lu
Affiliation:DING Yan-fang1,MEN Chuan-ling2,CHEN Tao1,ZHU Zhi-qiang1,LIN Cheng-lu2
Abstract:
Keywords:AlN thin film  pulsed KrF laser deposition  microstructure  
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